參數(shù)資料
型號(hào): XP08081(XP8081)
英文描述: 複合デバイス - 複合トランジスタ
中文描述: 複合デバイス-複合トランジスタ
文件頁(yè)數(shù): 4/5頁(yè)
文件大小: 110K
代理商: XP08081(XP8081)
XP08081
4
SJJ00218BED
Characteristics charts of Tr2
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
0
0
12
2
10
4
8
6
40
120
80
160
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.1 mA
0.2 mA
0.3 mA
0.4 mA
0.5 mA
0.6 mA
00.0.7 mA
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
0
1
100
200
300
400
10
100
1
000
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
F
F
Collector current I
C
(mA)
0
0.1
6
5
4
3
2
1
1
10
100
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
1
0.4
10
10
2
10
3
10
4
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Input voltage V
IN
(V)
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
O
O
μ
A
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
I
I
Output current I
O
(mA)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
XP4114 Composite Device - Composite Transistors
XP04115 Composite Device - Composite Transistors
XP4115 Composite Device - Composite Transistors
XP04116 Composite Device - Composite Transistors
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參數(shù)描述
XP0B30100L 功能描述:TRANS ARRAY PNP/NPN SMINI-5P RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:2 NPN(雙) 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大):- 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):SP000747402
XP0C301 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:For General Amplification
XP0C301(XP1C301) 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:複合デバイス - 複合トランジスタ
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