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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | XP131A0526SR |
| 廠商： | TOREX SEMICONDUCTOR LTD. |
| 英文描述： | N-Channel Power MOS FET |
| 中文描述： | N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 183K |
| 代理商： | XP131A0526SR |
726
11
GATE-SOURCE VOLTAGE vs. GATE CHARGE
Vds=10V, Id=10A
G
Gate Charge:Qg (nc)
REVERSE DRAIN CURRENT
vs. SOURCE-DRAIN VOLTAGE
Pulse Test
R
Source-Drain Voltage:Vsd (V)
STANDARDIZED TRANSITION THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
Rth (ch-a)=50C/W, (Implemented on a glass epoxy PCB)
Pulse Width:PW (sec)
Single Pulse
CAPACITANCE vs. DRAIN-SOURCE VOLTAGE
Vgs=0V, f=1MHz
C
Drain-Source Voltage:Vds (V)
SWITCHING TIME vs. DRAIN CURRENT
Vgs=5V, Vdd
10V, PW=10
μ
sec. duty
≤
1%
S
Drain Current:Id (A)
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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