參數資料
型號： XP161A0390PR
廠商： TOREX SEMICONDUCTOR LTD.
英文描述： Power MOS FET
中文描述： 功率MOS場效應管
文件頁數： 4/4頁
文件大?。?/td> 175K
代理商： XP161A0390PR
861
11
C
Drain-Source Voltage:Vds (V)
CAPACITANCE vs. DRAIN-SOURCE VOLTAGE
Vgs=0V, f=1MHz
S
Drain Current:Id (A)
SWITCHING TIME vs. DRAIN CURRENT
Vgs=5V, Vdd
10V, PW=10
μ
sec. duty
≤
1%
G
Gate Charge:Qg (nc)
GATE-SOURCE VOLTAGE vs. GATE CHARGE
Vds=10V, Id=3A
R
Source-Drain Voltage:Vsd (V)
REVERSE DRAIN CURRENT
vs. SOURCE-DRAIN VOLTAGE
Pulse Test
Pulse Width:PW (sec)
STANDARDIZED TRANSITION THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
Rth (ch-a)=62.5C/W, (Implemented on a ceramic PCB)
Single Pulse
相關PDF資料
PDF描述
XP161A11A1PR Power MOS FET
XP161A1265PR RES CERAMIC 4MHZ .5% SMD
XP161A1355PR POWER MOSFET
XP162A11C0PR Power MOS FET
XP162A11COPR Power MOS FET
相關代理商/技術參數
參數描述
XP161A11A1PR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4A SOT89 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
XP161A11A1PR_1 制造商:TOREX 制造商全稱:Torex Semiconductor 功能描述:Power MOSFET
XP161A11A1PR_12 制造商:TOREX 制造商全稱:Torex Semiconductor 功能描述:Power MOSFET
XP161A11A1PR-G 制造商:Torex Semiconductor LTD 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4A SOT89
XP161A1265PR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 4A SOT89 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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