參數(shù)資料
型號: YG835C03R
廠商: FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類: 整流器
英文描述: SCHOTTKY BARRIER DIODE
中文描述: 25 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封裝: SC-67, TO-220F15, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/3頁
文件大?。?/td> 63K
代理商: YG835C03R
YG835C03R
(30V / 25A TO-22OF15)
1
10
100
10
100
1000
Surge Capability
I
FSM
Peak
Half
-
Wave
Current
(A)
Number of Cycles at 50Hz
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-1
10
0
10
1
10
2
Transient Thermal Impedance
Transient
Thermal
Impedance
(°C/W)
t
Time (sec.)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
YG835C03R 10 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
YG835C04R MAX 7000 CPLD 256 MC 208-RQFP
YG838C03R Zener Diode; Application: Low noise; Pd (mW): 250; Vz (V): 4.0 to 4.4; Condition Iz at Vz (mA): 0.5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
YG838C03R 38 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
YG838C04R 30 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
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