參數(shù)資料
型號(hào)： ZXMN10A11GFTA
廠商： ZETEX PLC
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
中文描述： 1300 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 1173K
代理商： ZXMN10A11GFTA
ZXMN10A11G
ISSUE 1 - MARCH 2002
4
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
STATIC
Drain-Source Breakdown Voltage
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(th)
RDS(on)
100
V
ID=250 A, VGS=0V
VDS=100V, VGS=0V
VGS=
±
20V, VDS=0V
ID=250 A, VDS= VGS
VGS=10V, ID=2.6A
VGS=6V, ID=1.3A
VDS=15V,ID=2.6A
Zero Gate Voltage Drain Current
1
A
Gate-Body Leakage
100
nA
Gate-Source Threshold Voltage
2.0
4.0
V
Static Drain-Source On-State
Resistance (1)
0.60
0.70
Forward Transconductance (3)
gfs
3.95
S
DYNAMIC
(3)
Input Capacitance
Ciss
Coss
Crss
274
pF
VDS=50 V, VGS=0V,
f=1MHz
Output Capacitance
21
pF
Reverse Transfer Capacitance
11
pF
SWITCHING
(2) (3)
Turn-On Delay Time
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
2.7
ns
VDD=50V, ID=1A
RG=6.0 , VGS=10V
Rise Time
1.7
ns
Turn-Off Delay Time
7.4
ns
Fall Time
3.5
ns
Gate Charge
3
nC
VDS=50V, VGS=5V,
ID=2.5A
Total Gate Charge
Qg
Qgs
Qgd
5.4
nC
VDS=50V,VGS=10V,
I
D
=2.5A
Gate-Source Charge
1.4
nC
Gate-Drain Charge
1.5
nC
SOURCE-DRAIN DIODE
Diode Forward Voltage (1)
VSD
0.85
0.95
V
TJ=25°C, IS=1.85A,
VGS=0V
TJ=25°C, IF=1.0A,
di/dt= 100A/
μ
s
Reverse Recovery Time (3)
trr
Qrr
26
ns
Reverse Recovery Charge (3)
30
nC
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(at TA = 25°C unless otherwise stated)
NOTES
(1) Measured under pulsed conditions. Width
≤
300
μ
s. Duty cycle
≤
2% .
(2) Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
(3) For design aid only, not subject to production testing.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXMN10A11GFTC 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN10B08E6 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN10B08E6TA 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN10B08E6TC 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN2A01E6 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZXMN10A11GFTC 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN10A11GTA 功能描述:MOSFET 100V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXMN10A11GTC 功能描述:MOSFET 100V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXMN10A11K 功能描述:MOSFET N-CHAN 100V DPAK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
ZXMN10A11KTC 功能描述:MOSFET N-Chan 100V MOSFET (UMOS) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*