型號(hào): | ZXMN10A11GFTA |
廠商: | ZETEX PLC |
元件分類(lèi): | 小信號(hào)晶體管 |
英文描述: | 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
中文描述: | 1300 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
文件頁(yè)數(shù): | 7/7頁(yè) |
文件大?。?/td> | 1173K |
代理商: | ZXMN10A11GFTA |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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ZXMN10A11GFTC | 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
ZXMN10B08E6 | 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
ZXMN10B08E6TA | 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
ZXMN10B08E6TC | 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
ZXMN2A01E6 | 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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ZXMN10A11GFTC | 制造商:ZETEX 制造商全稱(chēng):ZETEX 功能描述:100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
ZXMN10A11GTA | 功能描述:MOSFET 100V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
ZXMN10A11GTC | 功能描述:MOSFET 100V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
ZXMN10A11K | 功能描述:MOSFET N-CHAN 100V DPAK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
ZXMN10A11KTC | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V MOSFET (UMOS) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |