參數(shù)資料
型號： ZXMN6A09DN8(1)
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 194K
代理商： ZXMN6A09DN8(1)
SUMMARY
V
(BR)DSS
= 60V; R
DS(ON)
= 0.140
I
D
= 3.2A
DESCRIPTION
This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure
that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This
makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management
applications.
FEATURES
Low on-resistance
Fast switching speed
Low threshold
Low gate drive
SOT89 package
APPLICATIONS
DC-DC Converters
Power Management Functions
Relay and solenoid driving
Motor control
DEVICE MARKING
11N6
ZXMN6A11Z
ISSUE 1 - DECEMBER 2002
1
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DEV ICE
REEL
SIZE
TAPE
WIDTH
QUANTITY
PER REEL
ZX MN6A11ZTA
7”
12mm
1000 units
ORDERING INFORMATION
Top View
SOT89
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXMNS3BM832(2)
ZXMP3A13F(1)
ZXMP3A16DN8(1)
ZXMP3A16G(1)
ZXMP3A16N8(1)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZXMN6A09DN8TA 功能描述:MOSFET Dl 60V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXMN6A09DN8TC 功能描述:MOSFET 60V N-Chan RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXMN6A09DN8TCA 功能描述:MOSFET 60V N-CHAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXMN6A09G 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:
ZXMN6A09G(1) 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*