參數(shù)資料
型號： ZXTN25060BZ
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： 60V, SOT89, NPN medium power transistor
中文描述： 60V的，SOT89，npn型中等功率晶體管
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 767K
代理商： ZXTN25060BZ
ZXTN25060BZ
Issue 3 - January 2007
Zetex Semiconductors plc 2007
2
www.zetex.com
Absolute maximum ratings
NOTES:
(a) For a device surface mounted on 15mm x 15mm x 1.6mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in
still air conditions.
(b)Mounted on 25mm x 25mm x 1.6mm FR4 PCB with a high coverage of single sided 2 oz copper in still air conditions.
(c) Mounted on 50mm x 50mm x 1.6mm FR4 PCB with a high coverage of single sided 2 oz copper in still air conditions.
(d)As (c) above measured at t<5secs.
Parameter
Collector-base voltage
Symbol
V
CBO
V
CEX
V
CEO
V
ECO
V
EBO
I
C
I
B
I
CM
P
D
Limit
150
Unit
V
Collector-emitter voltage (forward blocking)
150
V
Collector-emitter voltage
60
V
Emitter-collector voltage (reverse blocking)
6
V
Emitter-base voltage
7
V
Continuous collector current
(c)
Base current
5
A
1
A
Peak pulse current
10
A
Power dissipation at T
amb
= 25°C
(a)
Linear derating factor
Power dissipation at T
amb
= 25°C
(b)
Linear derating factor
Power dissipation at T
amb
= 25°C
(c)
Linear derating factor
Power dissipation at T
amb
= 25°C
(d)
Linear derating factor
Operating and storage temperature range
1.1
W
8.8
1.8
mW/°C
W
P
D
14.4
2.4
mW/°C
W
P
D
19.2
4.46
mW/°C
W
P
D
35.7
mW/°C
°C
T
j
, T
stg
- 55 to 150
Thermal resistance
Parameter
Junction to ambient
(a)
Junction to ambient
(b)
Junction to ambient
(c)
Junction to ambient
(d)
Symbol
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
Limit
117
Unit
°C/W
68
°C/W
51
°C/W
28
°C/W
相關PDF資料
PDF描述
ZXTN25060BZTA 60V, SOT89, NPN medium power transistor
ZXTN25100BFH 100V, SOT23, medium power transistor
ZXTN25100BFHTA 100V, SOT23, medium power transistor
ZXTN25100DFH 100V, SOT23, NPN medium power transistor
ZXTN25100DFHTA 100V, SOT23, NPN medium power transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
ZXTN25060BZTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 60V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTN25100BFH 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:100V, SOT23, medium power transistor
ZXTN25100BFHTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTN25100DFH 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:100V, SOT23, NPN medium power transistor
ZXTN25100DFHTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 100V HIGH GAIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*