參數(shù)資料
型號(hào)： ZXTN25060BZ
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： 60V, SOT89, NPN medium power transistor
中文描述： 60V的，SOT89，npn型中等功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 767K
代理商： ZXTN25060BZ
ZXTN25060BZ
Issue 3 - January 2007
Zetex Semiconductors plc 2007
5
www.zetex.com
Electrical characteristics (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated)
Parameter
Collector-base breakdown
voltage
Collector-emitter breakdown
voltage (forward blocking)
Symbol
BV
CBO
Min.
150
Typ.
190
Max.
Unit
V
Conditions
I
C
= 100 A
BV
CEX
150
190
I
C
= 100 A, R
BE
1k or
-1V < V
BE
< 0.25V
I
C
= 10mA
(*)
Collector-emitter breakdown
voltage (base open)
Emitter-base breakdown voltage
BV
CEO
60
80
V
NOTES:
(*) Measured under pulsed conditions. Pulse width 300 s; duty cycle 2%.
BV
EBO
BV
ECX
7
8
V
I
E
= 100 A
I
E
= 100 A, R
BC
1k or
0.25V > V
BC
> -0.25V
I
E
= 100 A,
Emitter-collector breakdown
voltage (reverse blocking)
6
8
V
Emitter-collector breakdown
voltage (base open)
Collector-base cut-off current
BV
ECO
6
7
V
I
CBO
<1
50
20
nA
A
V
CB
= 120V
V
CB
= 120V, T
amb
= 100°C
V
CE
= 120V; R
BE
1k or
-1V < V
BE
< 0.25V
V
EB
= 5.6V
I
C
= 1A, I
B
= 100mA
(*)
I
C
= 1A, I
B
= 50mA
(*)
I
C
= 4A, I
B
= 400mA
(*)
I
C
= 5A, I
B
= 500mA
(*)
I
C
= 5A, I
B
= 500mA
(*)
I
C
= 5A, V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 10mA, V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 1A, V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 2A, V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 5A, V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 100mA, V
CE
= 5V
f
= 100MHz
V
CB
= 10V, f
= 1MHz
(*)
V
CC
= 10V. I
C
= 500mA,
I
B1
= I
B2
= 50mA.
Collector-emitter cut-off
current
I
CEX
-
100
nA
Emitter-base cut-off current
I
EBO
V
CE(sat)
<1
50
nA
Collector-emitter saturation
voltage
55
70
mV
70
90
mV
185
230
mV
240
305
mV
Base-emitter saturation voltage
V
BE(sat)
1020
1100
mV
Base-emitter turn-on voltage
V
BE(on)
960
1050
mV
Static forward current transfer
ratio
h
FE
100
200
300
90
180
45
90
20
Transition frequency
f
T
185
MHz
Output capacitance
C
OBO
11.5
20
pF
Delay time
t
d
t
r
t
s
t
f
16
ns
Rise time
15
ns
Storage time
509
ns
Fall time
57
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXTN25060BZTA 60V, SOT89, NPN medium power transistor
ZXTN25100BFH 100V, SOT23, medium power transistor
ZXTN25100BFHTA 100V, SOT23, medium power transistor
ZXTN25100DFH 100V, SOT23, NPN medium power transistor
ZXTN25100DFHTA 100V, SOT23, NPN medium power transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZXTN25060BZTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 60V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTN25100BFH 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:100V, SOT23, medium power transistor
ZXTN25100BFHTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTN25100DFH 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:100V, SOT23, NPN medium power transistor
ZXTN25100DFHTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 100V HIGH GAIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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