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參數(shù)資料
| 型號： | ZXTP2008GTA |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 30V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 |
| 中文描述： | 5.5 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-261AA |
| 封裝： | SOT-223, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 111K |
| 代理商： | ZXTP2008GTA |
ZXTP2008G
ISSUE 1 - J UNE 2005
3
CHARACTERISTICS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXTP2008GTC | 30V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 |
| ZXTP2008Z | 30V PNP LOW SATURATION MEDUIM POWER TRANSISTOR IN SOT89 |
| ZXTP2008ZTA | 30V PNP LOW SATURATION MEDUIM POWER TRANSISTOR IN SOT89 |
| ZXTP2009Z | 40V PNP HIGH GAIN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89 |
| ZXTP2009ZTA | 40V PNP HIGH GAIN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZXTP2008GTC | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:30V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 |
| ZXTP2008Z | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:30V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89 |
| ZXTP2008ZTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 30V PNP Low Sat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZXTP2009Z | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:40V PNP HIGH GAIN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| ZXTP2009ZTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V PNP Low Sat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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