參數(shù)資料
型號： ZXTP2012A
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： 60V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN E-LINE
中文描述： 60V的進步黨低飽和中功率晶體管E系列
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 124K
代理商： ZXTP2012A
ZXTP2012A
SEMICONDUCTORS
ISSUE 2 - NOVEMBER 2005
2
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Junction to ambient
(a)
R
JA
125
°C/W
Junction to ambient
(b)
R
JA
175
°C/W
NOTES
(a)For a device through hole mounted on 25mm x 25mm x 1.6mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in still air conditions.
Collector lead length to solder point 4mm.
(b)For a device mounted in a socket in still air conditions. Collector lead length 10mm.
THERMAL RESISTANCE
PARAMETER
SYMBOL
LIMIT
UNIT
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Continuous collector current
(a)
Peak pulse current
Practical power dissipation at T
A
=25°C
(a)
Linear derating factor
Power dissipation at T
A
=25°C
(b)
Linear derating factor
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
C
I
CM
P
D
-100
-60
-7
V
V
V
A
A
W
-3.5
-15
1.0
8
0.71
5.7
mW/°C
W
mW/°C
°C
P
D
Operating and storage temperature range
T
j
, T
stg
-55 to 150
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
相關PDF資料
PDF描述
ZXTP2012ASTOA 60V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN E-LINE
ZXTP2012ASTZ 60V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN E-LINE
ZXTP2012G 60V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
ZXTP2012GTA 60V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
ZXTP2012GTC 60V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
ZXTP2012ASTOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 60V 3.5A 3-PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTP2012ASTZ 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 60V 3.5A 3-PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTP2012G 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:60V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
ZXTP2012GTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V PNP Low Sat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTP2012GTC 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:60V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*