參數(shù)資料
型號： ZXTP2012A
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： 60V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN E-LINE
中文描述： 60V的進(jìn)步黨低飽和中功率晶體管E系列
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 124K
代理商： ZXTP2012A
ZXTP2012A
SEMICONDUCTORS
ISSUE 2 - NOVEMBER 2005
4
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT CONDITIONS
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
BV
CBO
BV
CER
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
-100
-100
-60
-7
-120
-120
-80
-8.1
V
V
V
V
I
C
=-100 A
I
C
=-1 A, RB
I
C
=-10mA*
I
E
=-100 A
V
CB
=-80V
V
CB
=-80V, T
amb
=100 C
V
CB
=-80V
V
CB
=-80V, T
amb
=100 C
V
EB
=-6V
I
C
=-0.1A, I
B
=-10mA*
I
C
=-1A, I
B
=-100mA*
I
C
=-2A, I
B
=-200mA*
I
C
=-4A, I
B
=-400mA*
I
C
=-4A, I
B
=-400mA*
I
C
=-4A, V
CE
=-1V*
I
C
=-10mA, V
CE
=-1V*
I
C
=-1A, V
CE
=-1V*
I
C
=-4A, V
CE
=-1V*
I
C
=-10A, V
CE
=-1V*
MHz I
C
=-100mA, V
CE
=-10V
f=50MHz
pF
V
CB
=-10V, f=1MHz*
ns
I
C
=-1A, V
CC
=-10V,
I
B1
=I
B2
=-100mA
1k
1
-20
-0.5
-20
-0.5
-10
-20
-65
-115
-210
-1060
-960
nA
A
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
Collector cut-off current
I
CER
R
I
EBO
V
CE(SAT)
1k
1
Emitter cut-off current
Collector-emitter saturation voltage
1
-14
-50
-80
-145
-960
-850
250
200
120
25
120
Base-emitter saturation voltage
Base-emitter turn-on voltage
Static forward current transfer ratio
V
BE(SAT)
V
BE(ON)
h
FE
100
100
65
10
300
Transition frequency
f
T
Output capacitance
Switching times
C
OBO
t
ON
t
OFF
48
39
370
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(at T
amb
= 25°C unless otherwise stated)
* Measured under pulsed conditions. Pulse width
300 s; duty cycle
2%.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXTP2012ASTOA 60V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN E-LINE
ZXTP2012ASTZ 60V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN E-LINE
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ZXTP2012GTA 60V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
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參數(shù)描述
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