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參數(shù)資料
| 型號： | μ PG100B |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | Wide-Band Amplifier(寬帶放大器) |
| 中文描述： | 寬帶放大器（寬帶放大器） |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 86K |
| 代理商： | Μ PG100B |
2
m
PG100B,
m
PG101B
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 °C)
m
PG100B
CHARACTERISTICS
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
TEST CONDITIONS
Drain Current
I
DD
30
45
60
mA
Gate Current
I
GG
0.7
1.5
mA
Power Gain
G
p
14
16
dB
Gain Flatness
D
G
p
±
1.5
dB
Noise Figure
NF
2.7
3.5
dB
Input Return Loss
RL
in
7
10
dB
Output Return Loss
RL
out
7
10
dB
Isolation
I
SOL
30
40
dB
Output Power at 1 dB Gain
Compression Point
P
O(1 dB)
+3
+6
dBm
m
PG101B
CHARACTERISTICS
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
TEST CONDITIONS
Drain Current
I
DD
70
100
140
mA
Gate Current
I
GG
1.0
3.0
mA
Power Gain
G
p
12
14
dB
Gain Flatness
D
G
p
±
1.5
dB
Noise Figure
NF
5
7
dB
Input Return Loss
RL
in
6
8
dB
Output Return Loss
RL
out
6
8
dB
Isolation
I
SOL
30
40
dB
Output Power at 1 dB Gain
Compression Point
P
O(1 dB)
+16
+18
dBm
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
2.0
1.5
1.0
0.5
0
50
100
125
150
200
D.C. POWER DERATING CURVE
P
t
T
C
– Case Temperature –
°
C
V
DD
= +5 V, V
GG
=
-
5 V
f = 0.05 to 3 GHz
V
DD
= +5 V, V
GG
=
-
5 V
RF OFF
V
DD
= +8 V, V
GG
=
-
5 V
f = 0.05 to 3 GHz
V
DD
= +8 V, V
GG
=
-
5 V
RF OFF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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