參數(shù)資料
型號： 150GAL12DN2
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 77K
代理商： 150GAL12DN2
4
Nov-24-1997
BSM 150 GAL 120 DN2
Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
Chopper Diode
Chopper diode forward voltage
IFC = 200 A, VGE = 0 V, Tj = 25 °C
IFC = 200 A, VGE = 0 V, Tj = 125 °C
VFC
-
1.8
2
-
2.5
V
Reverse recovery time, chopper
IFC = 200 A, VR = -600 V, VGE = 0 V
diF/dt = -2000 A/s, Tj = 125 °C
trrC
-
0.5
-
s
Reverse recovery charge, chopper
IFC = 200 A, VR = -600 V, VGE = 0 V
diF/dt = -2000 A/s
Tj = 25 °C
Tj = 125 °C
QrrC
-
36
12
-
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
150GAST10 功能描述:瓷片電容器 15000V 100pF 20% RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 電容:0.01 uF 容差:20 % 電壓額定值:3 kV 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 損耗因數(shù) DF: 端接類型:Radial 產(chǎn)品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors
150GAST25 功能描述:瓷片電容器 15000V 250pF 20% RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 電容:0.01 uF 容差:20 % 電壓額定值:3 kV 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 損耗因數(shù) DF: 端接類型:Radial 產(chǎn)品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors
150GAST50 功能描述:瓷片電容器 15000V 500pF 20% RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 電容:0.01 uF 容差:20 % 電壓額定值:3 kV 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 損耗因數(shù) DF: 端接類型:Radial 產(chǎn)品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors
150GAT10 功能描述:瓷片電容器 15000V 100pF 20% RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 電容:0.01 uF 容差:20 % 電壓額定值:3 kV 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 損耗因數(shù) DF: 端接類型:Radial 產(chǎn)品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors
150GAT25 功能描述:瓷片電容器 15000V 250pF 20% RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 電容:0.01 uF 容差:20 % 電壓額定值:3 kV 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 損耗因數(shù) DF: 端接類型:Radial 產(chǎn)品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors
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