參數(shù)資料
型號(hào)： 150GT120DN2
英文描述： Ultra-Low-Power Voltage Detectors and µP Supervisory Circuits
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大?。?/td> 302K
代理商： 150GT120DN2
1
Nov-24-1997
BSM 150 GT 120 DN2
IGBT Power Module
Solderable Power module
3-phase full-bridge
Including fast free-wheel diodes
Package with insulated metal base plate
Type
VCE
IC
Package
Ordering Code
BSM 150 GT 120 DN2
1200V 200A
TRIPACK
C67070-A2518-A67
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Values
Unit
Collector-emitter voltage
VCE
1200
V
Collector-gate voltage
RGE = 20 k
VCGR
1200
Gate-emitter voltage
VGE
± 20
DC collector current
TC = 25 °C
TC = 80 °C
IC
150
200
A
Pulsed collector current, tp = 1 ms
TC = 25 °C
TC = 80 °C
ICpuls
300
400
Power dissipation per IGBT
TC = 25 °C
Ptot
1250
W
Chip temperature
Tj
+ 150
°C
Storage temperature
Tstg
-40 ... + 125
Thermal resistance, chip case
RthJC
≤ 0.12
K/W
Diode thermal resistance, chip case
RthJCD
≤ 0.28
Insulation test voltage, t = 1min.
Vis
2500
Vac
Creepage distance
-
16
mm
Clearance
-
11
DIN humidity category, DIN 40 040
-
F
sec
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
-
40 / 125 / 56
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PDF描述
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參數(shù)描述
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