參數(shù)資料
型號(hào): 200GA120DN2S
英文描述: IGBT Module
中文描述: IGBT模塊
文件頁(yè)數(shù): 1/10頁(yè)
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代理商: 200GA120DN2S
1
Oct-27-1997
BSM 200 GA 120 DN2
IGBT Power Module
Single switch
Including fast free-wheeling diodes
Package with insulated metal base plate
Type
BSM 200 GA 120 DN2
BSM 200 GA 120 DN2 S
V
CE
1200V 300A
1200V 300A
I
C
Package
SINGLE SWITCH 1
SSW SENSE 1
Ordering Code
C67076-A2006-A70
C67070-A2006-A70
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-gate voltage
R
GE
= 20 k
Gate-emitter voltage
DC collector current
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
Pulsed collector current,
t
p
= 1 ms
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
Power dissipation per IGBT
T
C
= 25 °C
Chip temperature
Storage temperature
Symbol
V
CE
V
CGR
Values
1200
Unit
V
1200
± 20
V
GE
I
C
200
300
A
I
Cpuls
400
600
P
tot
1550
+ 150
W
T
j
T
stg
°C
-40 ... + 125
Thermal resistance, chip case
Diode thermal resistance, chip case
Insulation test voltage,
t
= 1min.
Creepage distance
Clearance
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
R
thJC
R
thJC
D
V
is
-
-
-
-
0.08
0.15
2500
20
11
F
40 / 125 / 56
K/W
Vac
mm
sec
相關(guān)PDF資料
PDF描述
200GA170DN2 IGBT Module
200GA170DN2S IGBT Module
200GB120DN2 IGBT Module
200GL120DN2 IGBT Module
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參數(shù)描述
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