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參數(shù)資料
| 型號： | 200GB120DN2 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 159K |
| 代理商： | 200GB120DN2 |
1
Oct-21-1997
BSM 200 GB 120 DN2
IGBT Power Module
Half-bridge
Including fast free-wheeling diodes
Package with insulated metal base plate
Type
BSM 200 GB 120 DN2
V
CE
1200V 290A
I
C
Package
HALF-BRIDGE 2
Ordering Code
C67070-A2300-A70
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-gate voltage
R
GE
= 20 k
Gate-emitter voltage
DC collector current
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
Pulsed collector current,
t
p
= 1 ms
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
Power dissipation per IGBT
T
C
= 25 °C
Chip temperature
Storage temperature
Symbol
V
CE
V
CGR
Values
1200
Unit
V
1200
± 20
V
GE
I
C
200
290
A
I
Cpuls
400
580
P
tot
1400
+ 150
-40 ... + 125
W
T
j
T
stg
°C
Thermal resistance, chip case
Diode thermal resistance, chip case
Insulation test voltage,
t
= 1min.
Creepage distance
Clearance
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
R
thJC
R
thJC
D
V
is
-
-
-
-
≤
0.09
≤
0.18
2500
20
11
F
40 / 125 / 56
K/W
Vac
mm
sec
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 200GL120DN2 | IGBT Module |
| 200GT120DN2 | IGBT Module |
| 200H-ALP | Optoelectronic |
| 200H-GLP | Optoelectronic |
| 200H-RLP | Optoelectronic |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 200GB60DLC | 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:Technicshe Information |
| 200GL120DN2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module |
| 200GT120DN2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module |
| 200GX | 制造商:Greenlee Textron Inc 功能描述:AMPLIFIER IND 200GX 制造商:Tempo 功能描述:PROBE INDUCTIVE AMPLIFIER 制造商:Tempo 功能描述:PROBE, INDUCTIVE AMPLIFIER 制造商:Greenlee Textron Inc 功能描述:TEST; Accessory Type:Inductive Amplifier ;RoHS Compliant: NA 制造商:Greenlee Textron Inc 功能描述:Inductive Amplifier |
| 200GX/25W/BRITISH | 制造商:Xytronic Industries 功能描述:SOLDERING IRON PROFESSIONAL 25W UK |
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