參數(shù)資料
型號: 200GA170DN2S
英文描述: IGBT Module
中文描述: IGBT模塊
文件頁數(shù): 4/10頁
文件大?。?/td> 150K
代理商: 200GA170DN2S
4
Oct-27-1997
BSM 200 GA 120 DN2
Power dissipation
P
tot
=
(
T
C
)
parameter:
T
j
150 °C
0
20
40
60
80
100
120
°C
T
C
160
0
200
400
600
800
1000
1200
W
1600
P
tot
Safe operating area
I
C
=
(
V
CE
)
parameter:
D
= 0
, T
C
= 25°C ,
T
j
150 °C
0
10
0
10
1
10
2
10
3
10
A
I
C
10
1
10
2
10
3
V
V
CE
DC
10 ms
1 ms
100 μs
t
p = 21.0μs
Collector current
I
C
=
(
T
C
)
parameter:
V
GE
15 V ,
T
j
150 °C
0
20
40
60
80
100
120
°C
T
C
160
0
40
80
120
160
200
240
A
320
I
C
Transient thermal impedance IGBT
Z
th JC
=
(
t
p
)
parameter:
D = t
p
/
T
-5
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
K/W
Z
thJC
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
s
t
p
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
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