參數(shù)資料
型號(hào)： 24 - 28 GHz Doubler
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 24 - 28 GHz GaAs Doubler MMIC(25 - 28 GHz砷化鎵微波倍頻器)
中文描述： 24 - 28 GHz的砷化鎵倍頻單片集成電路（25 - 28千兆赫砷化鎵微波倍頻器）
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
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代理商： 24 - 28 GHZ DOUBLER
GaAs Components
24 - 28 GHz Doubler
Data Sheet
2
2001-01-01
Measured Data
(on chip measurements)
f
0
= 12.75 GHz,
V
GS
=
–
0.5 V,
V
DS
= 3 V
Technology Data
Parameter
Value
Chip thickness
95
μ
m
2.5 mm
×
1.0 mm
100
μ
m
×
100
μ
m/70
μ
m
×
70
μ
m
Chip size
DC/RF Bond pads
Bond pad material
Au (plated gold)
Chip passivation
SiN (silicon nitride)
-5
-20
EHT09208
-25
dBm
-15
-20
-10
-15
-5
-10
0
-5
5
0
10
5
15
10
dB
dBm
C
×
Input Power
O
f
0
)
0
5
10
15
25
0
f
3
×
f
0
f
2
×
0
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PDF描述
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