參數(shù)資料
型號： 24 - 28 GHz Doubler
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 24 - 28 GHz GaAs Doubler MMIC(25 - 28 GHz砷化鎵微波倍頻器)
中文描述： 24 - 28 GHz的砷化鎵倍頻單片集成電路（25 - 28千兆赫砷化鎵微波倍頻器）
文件頁數(shù)： 3/3頁
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代理商： 24 - 28 GHZ DOUBLER
GaAs Components
24 - 28 GHz Doubler
Data Sheet
3
2001-01-01
Recommendation of Bonding Conditions
Figure 1
Bond Plan
Capacitors with approximately 100 pF should be used to block the
V
GS
and
V
DS
bias pads
to ground.
Parameter
Thermocompression
Nailhead, without Ultrasonic
Wedge
Bonding
Bond Pull Test
Mil 883, > 2 g
Table Temp.
250
°
C
180
°
C
250
°
C
150
°
C
1 : 2.5 g
Tool Temp.
2 : 3.1 g
Scrub
100 Hz
–
3 : 3.2 g
Bond Force
50 g
25 g
4 : 3.0 g
Wire Diameter
25
μ
m
17
μ
m
5 : 2.8 g
EHT09209
x2
GND
V
DS
V
GS
GND
RF IN
Coplanar GND
Coplanar GND
Coplanar GND
Coplanar GND
RF OUT
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PDF描述
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240128-06-BN-M-ST-LED-GY 240 x 128 Dot Graphic LCD Assembly With T6963C Toshiba Graphic LCD Controller EL Panel & LED Backlight Assembly
240128-06-BN-M-ST-LED-WH 240 x 128 Dot Graphic LCD Assembly With T6963C Toshiba Graphic LCD Controller EL Panel & LED Backlight Assembly
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