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參數(shù)資料
| 型號： | 29F001B-12 |
| 廠商： | Macronix International Co., Ltd. |
| 英文描述： | 1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 100萬位[128K的× 8]的CMOS閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 22/42頁 |
| 文件大小： | 600K |
| 代理商： | 29F001B-12 |
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22
REV. 2.6, DEC. 29, 2003
P/N: PM0515
MX29F001T/B
matic erase starts. Device outputs 0 during erasure and
1 after erasure 0n Q7.(Q6 is for toggle bit; see toggle bit,
DATA polling, timing waveform)
All data in chip are erased. External erase verification is
not required because data is erased automatically by
internal control circuit. Erasure completion can be veri-
fied by DATA polling and toggle bit checking after auto
AUTOMATIC CHIP ERASE TIMING WAVEFORM
tCWC
tAS
tCEP
tDS tDH
Vcc 5V
CE
OE
Q0,Q1,
Q4(Note 1)
WE
A11~A16
tCEPH1
tAH
Q7
Command In
A0~A10
Command In
Command In
Command In
Command In
Command In
tAETC
DATA polling
2AAH
555H
555H
Command #AAH
(Q0~Q7)
Command #55H
Command #80H
Notes:
(1). Q6:Toggle bit, Q5:Timing-limit bit, Q3: Time-out bit, Q2: Toggle bit
555H
2AAH
555H
Command In
Command In
Command #AAH
Command In
Command In
Command #55H
Command In
Command In
Command #10H
AUTOMATIC CHIP ERASE TIMING WAVEFORM
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 29F001B-90 | 1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY |
| 29F001T-12 | 1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY |
| 29F001T-90 | 1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY |
| 29F002B-12 | 2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY |
| 29F002B-55 | 2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 29F001B-90 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY |
| 29F001T-12 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY |
| 29F001T-90 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY |
| 29F002 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY |
| 29F002B-12 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY |
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