參數(shù)資料
型號(hào)： 29F001T-90
廠商： Macronix International Co., Ltd.
英文描述： 1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY
中文描述： 100萬(wàn)位[128K的× 8]的CMOS閃存
文件頁(yè)數(shù)： 36/42頁(yè)
文件大?。?/td> 600K
代理商： 29F001T-90
36
REV. 2.6, DEC. 29, 2003
P/N: PM0515
MX29F001T/B
MIN.
MAX.
Input Voltage with respect to GND on all pins except I/O pins
-1.0V
13.5V
Input Voltage with respect to GND on all I/O pins
-1.0V
Vcc + 1.0V
Current
-100mA
+100mA
Includes all pins except Vcc. Test conditions: Vcc = 5.0V, one pin at a time.
LIMITS
PARAMETER
MIN.
TYP.(2)
MAX.(3)
UNITS
Sector Erase Time
1
8
s
Chip Erase Time
3
24
s
Byte Programming Time
7
210
us
Chip Programming Time
3.5
10.5
sec
Erase/Program Cycles
100,000
Cycles
LATCH-UP CHARACTERISTICS
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE (1)
Note:
1.Not 100% Tested, Excludes external system level over head.
2.Typical values measured at 25
°
C, 5V.
3.Maximum values measured at 25
°
C, 4.5V.
PARAMETER
MIN.
UNIT
Data Retention Time
20
Years
DATA RETENTION
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PDF描述
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