參數(shù)資料
型號(hào)： 29F002B-55
廠商： Macronix International Co., Ltd.
英文描述： 2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
中文描述： 200萬(wàn)位[256K × 8]的CMOS閃存
文件頁(yè)數(shù)： 50/51頁(yè)
文件大?。?/td> 622K
代理商： 29F002B-55
50
REV. 1.5, MAR. 28, 2005
P/N: PM0547
MX29F002/002N T/B
REVISION HISTORY
Revision Description
Page
Date
1.0
1.Removed "Advanced Information" datasheet marking and
contain information on products in full production
2.The modification summary of Revision 0.9.8 to Revision 1.0:
2-1.Program/erase cycle times:10K cycles-->100K cycles
2-2.To add data retention 20 years
2-3.To add industrial grade range from "Read Mode" to "Full Range"
2-4.To remove A9 from "timing waveform for sector protection for
system without 12V"
To remove A9 from "timing waveform for chip unprotection for
system without 12V"
2-5.Multi-sector erase time-out:30ms-->30us, tBAL:80us-->100us
Modified "Package Information"
1. Corrected typing error
1. Changed part no. from MX29F002/002N to MX29F002/002NT/B
1. Added Pb-free option for PDIP package
1. Added Pb-free option for all commercial-grade package with 70ns & 90ns P44,45
P1
DEC/27/1999
P1,46
P1,46
P17,19,21,41-43
P36
P37
P8,20,21
P45~47
All
All
P43
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
JUN/14/2001
JUN/11/2002
NOV/11/2002
NOV/08/2004
MAR/28/2005
相關(guān)PDF資料
PDF描述
29F002B-70 2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
29F002B-90 2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
29F002T-12 2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
29F002T-55 2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
29F002T-70 2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
29F002B-70 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
29F002B-90 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
29F002T-12 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
29F002T-55 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
29F002T-70 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
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