- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371438 > 29F022T-90 (Macronix International Co., Ltd.) 2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 29F022T-90 |
| 廠商： | Macronix International Co., Ltd. |
| 英文描述： | 2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 200萬位[256K × 8]的CMOS閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 6/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 606K |
| 代理商： | 29F022T-90 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁當(dāng)前第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁
6
P/N:PM0556
REV. 1.3, NOV. 11, 2002
MX29F022/022NT/B
Pins
CE
OE
WE
A0
A1
A6
A9
Q0~Q7
Mode
Read Silicon ID
Manufacturer Code(1)
Read Silicon ID
Device Code(1)
Read
Standby
Output Disable
Write
Chip Protect with 12V
system (6)
Chip Unprotect with 12V
system (6)
Verify chip Protect
with 12V system
Chip Protect without 12V
system (6)
Chip Unprotect without 12V
system (6)
Verify Chip Protect/Unprotect
without 12V system (7)
Reset
L
L
H
L
L
X
V
ID
(2)
C2H
L
L
H
H
L
X
V
ID
(2)
36H/37H
L
H
L
L
L
L
X
H
H
V
ID
(2)
H
X
H
L
L
A0
X
X
A0
X
A1
X
X
A1
X
A6
X
X
A6
L
A9
X
X
A9
V
ID
(2)
D
OUT
HIGH Z
HIGH Z
D
IN
(3)
X
L
V
ID
(2)
L
X
X
H
V
ID
(2)
X
L
L
H
X
H
X
V
ID
(2)
Code (5)
L
H
L
X
X
L
H
X
L
H
L
X
X
H
H
X
L
L
H
X
H
X
H
Code(5)
X
X
X
X
X
X
X
HIGH Z
NOTES:
1. Manufacturer and device codes may also be accessed via a command register write sequence. Refer to Table 1.
2. VID is the Silicon-ID-Read high voltage, 11.5V to 12.5V.
3. Refer to Table 1 for valid Data-In during a write operation.
4. X can be VIL or VIH.
5. Code=00H means unprotected.
Code=01H means protected.
6. Refer to chip protect/unprotect algorithm and waveform.
Must issue "unlock for chip protect/unprotect" command before "chip protect/unprotect without 12V system"
command.
7. The "verify chip protect/unprotect without 12V system" is only following "chip protect/unprotect without 12V sys-
tem"
command.
TABLE 2. MX29F022T/B BUS OPERATION
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 29F040-12 | 4M-BIT [512KX8] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
| 29F040-55 | 4M-BIT [512KX8] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
| 29F040-70 | 4M-BIT [512KX8] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
| 29F040-90 | 4M-BIT [512KX8] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
| 29F040C-55 | 4M-BIT [512K x 8] CMOS SINGLE VOLTAGE 5V ONLY EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 29F0303-0T0-10 | 功能描述:信號調(diào)節(jié) 266ohms 100MHz 8A Thru-hole RoHS:否 制造商:EPCOS 產(chǎn)品:Duplexers 頻率:782 MHz, 751 MHz 頻率范圍: 電壓額定值: 帶寬: 阻抗:50 Ohms 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:2.5 mm x 2 mm 工作溫度范圍:- 30 C to + 85 C 封裝:Reel |
| 29F0318-0SR | 功能描述:FERRITE 6A 83 OHM SMD RoHS:否 類別:濾波器 >> 鐵氧體磁珠和芯片 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:EMI1812 頻率對應(yīng)阻抗:120 歐姆 @ 100MHz 額定電流:200mA DC 電阻(DCR):最大 400 毫歐 濾波器類型:差模 - 單線 封裝/外殼:1812（4532 公制） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 高度（最大）:0.069"（1.75mm） 尺寸/尺寸:0.177" L x 0.126" W（4.50mm x 3.20mm） 其它名稱:Q1712807A |
| 29F0318-1SR (900 PC REEL) | 制造商:Laird Technologies Inc 功能描述:LEADED,4.8X4.5MM,3 LINES,-55-+125,T&R - Tape and Reel |
| 29F0318-1SR-10 | 功能描述:信號調(diào)節(jié) 119ohms 100MHz 6A Thru-hole RoHS:否 制造商:EPCOS 產(chǎn)品:Duplexers 頻率:782 MHz, 751 MHz 頻率范圍: 電壓額定值: 帶寬: 阻抗:50 Ohms 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:2.5 mm x 2 mm 工作溫度范圍:- 30 C to + 85 C 封裝:Reel |
| 29F03280T010 | 制造商:Laird Technologies Inc 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。