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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 29F400B-90TC |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 4MEGABIT（為512k × 8 / 256K × 16）5VOLT扇區(qū)擦除的CMOS閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 17/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 240K |
| 代理商： | 29F400B-90TC |
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BRIGHT Preliminary BM29F400T/BM29F400B
Microelectronics
Inc.
A Winbond Company
Publication Release Date: May 1999
- 17 -
Revision A1
Sector Unprotect
The BM29F400 also features a sector unprotect mode, so that protected sectors may be unprotected
to incorporate any changes in the code. Protecting all sectors is necessary before unprotecting any
sector(s). Sector unprotection is accomplished in a PROM programmer.
START
Write Program Command Sequence
(see below)
/Data Polling Device
Last Address
NO
YES
Programming Completed
Program Command Sequence (Address/Command)
5555H/AAH
2AAAH/55H
5555H/A0H
Program Address/ Program Data
Increment Address
Figure 1. Internal Programming Algorithm
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 29F400B-90TI | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400T-12PC | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400T-12PI | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400T-12TC | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400T-12TI | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 29F400B-90TI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400BB | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 29F400BT-70EC | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 29F400BT-70SC | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 29F400C-55 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 5V ONLY BOOT SECTOR FLASH MEMORY |
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