參數(shù)資料
型號： 2MBI100U4H-170
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT MODULE
中文描述： 150 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-4
文件頁數(shù)： 10/13頁
文件大小： 450K
代理商： 2MBI100U4H-170
H04-004-03a
10
MS5F6143
13
a
b
Reverse bias safe operating area (max.)
+VGE=15V,-VGE <= 15V, RG >= 4.7
Ω
,Tj <= 125°C
Switching loss vs. Gate resistance (typ.)
Vcc=900V, Ic=100A, VGE=±15V, Tj= 125°C
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=900V, VGE=±15V, Rg=4.7
Ω
, Tj=125°C
Switching time vs. Gate resistance (typ.)
Vcc=900V, Ic=100A, VGE=±15V, Tj= 25°C
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=900V, VGE=±15V, Rg=4.7
Ω
, Tj= 25°C
Switching loss vs. Collector current (typ.)
Vcc=900V, VGE=±15V, Rg=4.7
Ω
10
100
1000
10000
0
50
100
150
200
Collector current : Ic [A]
S
ton
toff
tr
tf
10
100
1000
10000
0
50
100
150
200
Collector current : Ic [A]
S
ton
tr
tf
toff
10
100
1000
10000
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
Gate resistance : RG [
Ω
]
S
tr
tf
ton
toff
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
50
100
150
200
Collector current : Ic [A]
S
Eon(125°C)
Eon(25°C)
Eoff(25°C)
Eoff(125°C)
Err(125°C)
Err(25°C)
0
50
100
150
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
Gate resistance : RG [
Ω
]
S
Eoff
Err
Eon
0
100
200
300
0
500
1000
1500
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2MBI1200U4G-120 IGBT-Module
2MBI1200UG-170 IGBT MODULE
2MBI150NT-120-01 IGBT module
2MBI150U4A-120 IGBT MODULE
2MBI150U4B-120 IGBT MODULE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2MBI100UA-120 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBTs
2MBI100VA-060-50 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE (V series) 600V / 100A / 2 in one package
2MBI100VA-120-50 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE (V series) 1200V / 100A / 2 in one package
2MBI1200U4G-120 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT, MODULE, DUAL, 1200A/1200V 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT, MODULE, DUAL, 1200A/1200V; Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:1.6kA; Collector Emitter Voltage Vces:2.22V; Power Dissipation Pd:6.25kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case ;RoHS Compliant: No
2MBI1200U4G-170 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT, MODULE, DUAL, 1200A/1700V 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT, MODULE, DUAL, 1200A/1700V; Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:1.6kA; Collector Emitter Voltage Vces:2.57V; Power Dissipation Pd:6.25kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7kV; Transistor Case ;RoHS Compliant: No
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*