參數(shù)資料
型號： 2MBI100U4H-170
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT MODULE
中文描述： 150 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-4
文件頁數(shù)： 2/13頁
文件大小： 450K
代理商： 2MBI100U4H-170
H04-004-06b
R e v i s e d R e c o r d s
Date
Classi-
fication
Ind.
Content
Applied
date
Drawn
Checked
Checked
Approved
Enactment
Issued
date
2
MS5F6143
13
Jun.-01 -
’
05
K.Yamada
T.Miyasaka
Y.Seki
a
Revision
Revised characteristics
VCE(sat) (P4/13)
K.Yamada
S.Miyashita
T.Miyasaka
a
b
Oct.-25-
’
05
O.Ikawa
K.Yamada
T.Miyasaka
b
Revision
Revised Reliability test results
(P8/13)
M.Watanabe
H.Kakiki
May.-31 -
’
06
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2MBI1200U4G-120 IGBT-Module
2MBI1200UG-170 IGBT MODULE
2MBI150NT-120-01 IGBT module
2MBI150U4A-120 IGBT MODULE
2MBI150U4B-120 IGBT MODULE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2MBI100UA-120 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBTs
2MBI100VA-060-50 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE (V series) 600V / 100A / 2 in one package
2MBI100VA-120-50 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE (V series) 1200V / 100A / 2 in one package
2MBI1200U4G-120 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT, MODULE, DUAL, 1200A/1200V 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT, MODULE, DUAL, 1200A/1200V; Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:1.6kA; Collector Emitter Voltage Vces:2.22V; Power Dissipation Pd:6.25kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case ;RoHS Compliant: No
2MBI1200U4G-170 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT, MODULE, DUAL, 1200A/1700V 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT, MODULE, DUAL, 1200A/1700V; Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:1.6kA; Collector Emitter Voltage Vces:2.57V; Power Dissipation Pd:6.25kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7kV; Transistor Case ;RoHS Compliant: No
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*