參數(shù)資料
型號： 2MBI100U4H-170
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT MODULE
中文描述： 150 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-4
文件頁數(shù)： 9/13頁
文件大小： 450K
代理商： 2MBI100U4H-170
H04-004-03a
9
MS5F6143
13
a
b
VGE=0V, f= 1MHz, Tj= 25°C
Vcc=900V
，
Ic=100A
，
Tj= 25°C
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Dynamic Gate charge (typ.)
Tj= 25°C / chip
VGE=15V / chip
Tj=25°C / chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj= 125°C/ chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage (typ.)
0
50
100
150
200
250
0
1
2
3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
C
VGE=20V 15V
12V
10V
8V
0
50
100
150
200
250
0
1
2
3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
C
VGE=20V15V
12V
10V
8V
0
50
100
150
200
250
0
1
2
3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
C
Tj=125°C
Tj=25°C
0
2
4
6
8
10
5
10
15
20
25
Gate-Emitter voltage : VGE [V]
C
Ic=200A
Ic=100A
Ic=50A
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
0
10
20
30
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
C
Cies
Coes
Cres
0
100
200
300
400
Gate charge : Qg [nC]
C
G
VGE
VCE
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PDF描述
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