參數(shù)資料
型號(hào)： 2MBI1200U4G-120
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT-Module
中文描述： 1200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： M248, 10 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 10/14頁(yè)
文件大?。?/td> 595K
代理商： 2MBI1200U4G-120
Tentative
(Under developmemt)
Switching time vs. Gate resistance (typ.)
H04-004-003
Switching loss vs. Gate resistance (typ.)
Vcc=600V, Ic=1200A,VGE=±15V, Tj=
１
25°C
Reverse bias safe operating area (max.)
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, Rgon=3.3
Ω
, Rgoff=0.82
Ω
, Tj=
１
25°C
Vcc=600V, VGE=±15V, Rgon=3.3
Ω
, Rgoff=0.82
Ω
, Tj=
１
25°C
Switching loss vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, Ic=1200A,VGE=±15V, Tj=
１
25°C
T
F
l
t
t
14
10
MT5F16507
±
VGE=15V ,Tj = 125°C
/ chip
D
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0
400
800
1200
1600
2000
S
Collector current : Ic [ A ]
ton
toff
tr
tf
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
S
Gate resistance : Rg [
Ω
]
tr
tf
toff
ton
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
0
400
800
1200
1600
2000
S
Collector current : Ic [ A ] , Forward current : IF [ A ]
Eon
Eoff
Err
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
S
Gate resistance : Rg [
Ω
]
Eoff
Err
Eon
0
400
800
1200
1600
2000
2400
2800
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
C
Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2MBI1200UG-170 IGBT MODULE
2MBI150NT-120-01 IGBT module
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2MBI150U4B-120 IGBT MODULE
2MBI150U4H-170 IGBT MODULE
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2MBI150-060 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2MBI150-120 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C)
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