參數(shù)資料
型號(hào)： 2MBI1200U4G-120
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT-Module
中文描述： 1200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： M248, 10 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/14頁(yè)
文件大?。?/td> 595K
代理商： 2MBI1200U4G-120
Tentative
(Under developmemt)
1. Outline Drawing ( Unit : mm )
2. Equivalent circuit
H04-004-003
Type Name : 2MBI1200U4G-120
／　
PKG.No. M248
14
3
MT5F16507
D
T
F
l
t
t
main emitter
main collector
gate
sense emitter
sense collector
main emitter
main collector
sense collector
sense emitter
gate
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2MBI1200UG-170 IGBT MODULE
2MBI150NT-120-01 IGBT module
2MBI150U4A-120 IGBT MODULE
2MBI150U4B-120 IGBT MODULE
2MBI150U4H-170 IGBT MODULE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2MBI1200U4G-170 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT, MODULE, DUAL, 1200A/1700V 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT, MODULE, DUAL, 1200A/1700V; Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:1.6kA; Collector Emitter Voltage Vces:2.57V; Power Dissipation Pd:6.25kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7kV; Transistor Case ;RoHS Compliant: No
2MBI1200UG-170 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT MODULE
2MBI1400VXB-120P-50 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT, MODULE, DUAL,1400A/1200V 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT, MODULE, DUAL,1400A/1200V; Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:1.8kA; Collector Emitter Voltage Vces:1.75V; Power Dissipation Pd:7.65kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case ;RoHS Compliant: Yes
2MBI150-060 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2MBI150-120 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C)
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*