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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2MBI1200U4G-120 |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT-Module |
| 中文描述： | 1200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | M248, 10 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 14/14頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 595K |
| 代理商： | 2MBI1200U4G-120 |
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Tentative
(Under developmemt)
H04-004-003
D
14
14
MT5F16507
t
T
F
l
t
Cautions
-
Fuji Electric Device Technology is constantly making every endeavor to improve the product quality and reliability.
However, semiconductor products may rarely happen to fail or malfunction. To prevent accidents causing injury or
death, damage to property like by fire, and other social damage resulted from a failure or malfunction of
the Fuji Electric Device Technology semiconductor products, take some measures to keep safety such as redundant
design, spread-fire-preventive design, and malfunction-protective design.
富士電機(jī)デバイステクノロジーは絶えず製品の品質(zhì)と信頼性の向上に努めています。しかし、半導(dǎo)體製品は故障が発生したり、
誤動(dòng)作する場(chǎng)合があります。富士電機(jī)デバイステクノロジー製半導(dǎo)體製品の故障または誤動(dòng)作が、結(jié)果として人身事故火災(zāi)
等による財(cái)産に対する損害や社會(huì)的な損害を起こさないように冗長(zhǎng)設(shè)計(jì)延焼防止設(shè)計(jì)誤動(dòng)作防止設(shè)計(jì)など安全確保
のための手段を講じて下さい。
-
The application examples described in this specification only explain typical ones that used the Fuji Electric Device
Technology products. This specification never ensure to enforce the industrial property and other rights, nor license the
enforcement rights.
本仕様書(shū)に記載してある応用例は、富士電機(jī)デバイステクノロジー製品を使用した代表的な応用例を説明するものであり、
本仕様書(shū)によって工業(yè)所有権、その他権利の実施に対する保障または実施権の許諾を行うものではありません。
-
The product described in this specification is not designed nor made for being applied to the equipment or
systems used under life-threatening situations. When you consider applying the product of this specification
to particular used, such as vehicle-mounted units, shipboard equipment, aerospace equipment, medical devices,
atomic control systems and submarine relaying equipment or systems,
please apply after confirmation
of this product to be satisfied about system construction and required reliability.
本仕様書(shū)に記載された製品は、人命にかかわるような狀況下で使用される機(jī)器あるいはシステムに用いられることを
目的として設(shè)計(jì)製造されたものではありません。本仕様書(shū)の製品を車両機(jī)器、船舶、航空宇宙、醫(yī)療機(jī)器、原子力
制御、海底中継機(jī)器あるいはシステムなど、特殊用途へのご利用をご検討の際は、システム構(gòu)成及び要求品質(zhì)に
満足することをご確認(rèn)の上、ご利用下さい。
If there is any unclear matter in this specification, please contact Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2MBI1200UG-170 | IGBT MODULE |
| 2MBI150NT-120-01 | IGBT module |
| 2MBI150U4A-120 | IGBT MODULE |
| 2MBI150U4B-120 | IGBT MODULE |
| 2MBI150U4H-170 | IGBT MODULE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2MBI1200U4G-170 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT, MODULE, DUAL, 1200A/1700V 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT, MODULE, DUAL, 1200A/1700V; Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:1.6kA; Collector Emitter Voltage Vces:2.57V; Power Dissipation Pd:6.25kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7kV; Transistor Case ;RoHS Compliant: No |
| 2MBI1200UG-170 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT MODULE |
| 2MBI1400VXB-120P-50 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT, MODULE, DUAL,1400A/1200V 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT, MODULE, DUAL,1400A/1200V; Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:1.8kA; Collector Emitter Voltage Vces:1.75V; Power Dissipation Pd:7.65kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case ;RoHS Compliant: Yes |
| 2MBI150-060 | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2MBI150-120 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C) |
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