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參數(shù)資料
| 型號： | 2N4410 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN Silicon Amplifer Transistor(80V（集電極-發(fā)射極）硅NPN放大器晶體管) |
| 中文描述： | 250 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | TO-226AA, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 183K |
| 代理商： | 2N4410 |
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 3. Collector Cut–Off Region
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
1.0
2.0
5.0
10
20
50
2.5
2.0
100
TJ = 25
°
C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VC for VCE(sat)
VB for VBE(sat)
0.1
0.2
0.5
Figure 4. “On” Voltages
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
101
10–5
Figure 5. Temperature Coefficients
TJ = –55
°
C to +135
°
C
0.4
0.3
0.1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
100
10–1
10–2
10–3
10–4
0.2
0
0.1
0.2
0.4
0.3
0.6
0.5
VCE = 30 V
TJ = 125
°
C
75
°
C
25
°
C
IC = ICES
,
I
μ
θ
°
3.0
30
1.5
1.0
0.5
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
C
Figure 6. Switching Time Test Circuit
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
100
70
50
1.0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
Cibo
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
0.3
0.7
3.0
7.0
Cobo
Figure 7. Capacitances
REVERSE
FORWARD
0.3
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
0.1
0.2
0.5
3.0
30
0.3
10.2 V
Vin
10
μ
s
INPUT PULSE
VBB
–8.8 V
100
RB
5.1 k
100
0.25
μ
F
Vin
1N914
Vout
RC
VCC
30 V
3.0 k
tr, tf
≤
10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
Values Shown are for IC @ 10 mA
TJ = 25
°
C
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PDF描述 |
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