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參數(shù)資料
| 型號： | 2N5485 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-25V，最小漏極飽和電流4mA的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | N溝道場效應(yīng)（最小柵源擊穿電壓- 25V的，最小漏極飽和電流四毫安的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | 2N5485 |
2N/SST5484 Series
4
Siliconix
P-37410—Rev. D, 04-Jul-94
Typical Characteristics
On-Resistance and Output Conductance
vs. Gate-Source Cutoff Voltage
r
DS
g
os
r
DS
@ I
D
= 1 mA, V
GS
= 0 V
g
os
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
f = 1 kHz
Drain Current and Transconductance
vs. Gate-Source Cutoff Voltage
–
I
D
g
f
I
DSS
g
fs
I
DSS
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
g
fs
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
f = 1 kHz
V
GS(off)
– Gate-Source Cutoff Voltage (V)
V
DG
– Drain-Gate Voltage (V)
I
D
– Drain Current (mA)
V
DS
– Drain-Source Voltage (V)
V
DS
– Drain-Source Voltage (V)
Gate Leakage Current
–
I
G
0.1 mA
I
GSS
@ 25 C
T
A
= 25 C
T
A
= 125 C
I
GSS
@
125 C
Output Characteristics
Output Characteristics
Common-Source Forward
Transconductance vs. Drain Current
0.1
1
10
10
8
0
g
f
V
GS(off)
= –3 V
T
A
= –55 C
25 C
125 C
–0.2 V
–0.4 V
–0.6 V
–0.8 V
–1.0 V
–1.2 V
V
GS
= 0 V
–0.6 V
–0.9 V
–1.2 V
–1.5 V
–1.8 V
V
GS
= 0 V
–0.3 V
–
I
D
–
I
D
10
8
0
6
4
2
20
0
16
12
8
4
0
–10
–2
–4
–6
–8
100
80
0
60
40
20
500
0
400
300
200
100
0
–10
–2
–4
–6
–8
0
12
8
4
16
20
0.1 pA
1 pA
10 pA
100 pA
1 nA
10 nA
100 nA
6
4
2
10
0
8
6
4
2
0
10
2
4
6
8
15
0
12
9
6
3
0
10
2
4
6
8
V
GS(off)
– Gate-Source Cutoff Voltage (V)
V
DS
= 10 V
f = 1 kHz
V
GS(off)
= –2 V
V
GS(off)
= –3 V
I
D
= 5 mA
1 mA
0.1 mA
I
D
= 5 mA
1 mA
r
D
–
)
S
g
f
–1.4 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2N5485_D27Z | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| 2N5485_D74Z | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
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