參數(shù)資料
型號: 2N5485
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述: N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-25V,最小漏極飽和電流4mA的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
中文描述: N溝道場效應(yīng)(最小柵源擊穿電壓- 25V的,最小漏極飽和電流四毫安的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
文件頁數(shù): 6/7頁
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代理商: 2N5485
2N/SST5484 Series
6
Siliconix
P-37410—Rev. D, 04-Jul-94
Typical Characteristics (Cont’d)
Common-Source Input Capacitance
vs. Gate-Source Voltage
Common-Source Reverse Feedback
Capacitance vs. Gate-Source Voltage
C
i
f = 1 MHz
V
DS
= 0 V
10 V
C
r
V
DS
= 0 V
10 V
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
f = 1 MHz
Reverse Admittance
Output Admittance
Input Admittance
Forward Admittance
100
10
1
0.1
100
1000
b
is
g
is
T
A
= 25 C
V
DS
= 15 V
V
GS
= 0 V
Common Source
(
100
10
1
0.1
100
1000
T
A
= 25 C
V
DS
= 15 V
V
GS
= 0 V
Common Source
(
–b
fs
g
fs
10
1
0.1
0.01
100
1000
(
T
A
= 25 C
V
DS
= 15 V
V
GS
= 0 V
Common Source
–b
rs
–g
rs
10
1
0.1
0.01
100
1000
T
A
= 25 C
V
DS
= 15 V
V
GS
= 0 V
Common Source
b
os
g
os
(
f – Frequency (MHz)
f – Frequency (MHz)
f – Frequency (MHz)
f – Frequency (MHz)
5
0
4
3
2
1
0
–20
–4
–8
–12
–16
3
0
2.4
1.8
1.2
0.6
0
–20
–4
–8
–12
–16
200
500
200
500
200
500
200
500
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5486 N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-25V,最小漏極飽和電流8mA的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
2N5490 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
2N5492 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
2N5494 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
2N5496 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N5485_D26Z 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值): 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通): 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流(Vgs=0 時(shí)的 Idss):25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
2N5485_D26Z_Q 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值): 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通): 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流(Vgs=0 時(shí)的 Idss):25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
2N5485_D27Z 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值): 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通): 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流(Vgs=0 時(shí)的 Idss):25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
2N5485_D74Z 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值): 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通): 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流(Vgs=0 時(shí)的 Idss):25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
2N5485_D75Z 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值): 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通): 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流(Vgs=0 時(shí)的 Idss):25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel