參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5485
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-25V，最小漏極飽和電流4mA的N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： N溝道場(chǎng)效應(yīng)（最小柵源擊穿電壓- 25V的，最小漏極飽和電流四毫安的N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大?。?/td> 85K
代理商： 2N5485
2N/SST5484 Series
Siliconix
P-37410—Rev. D, 04-Jul-94
5
Typical Characteristics (Cont’d)
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
–
I
D
Transfer Characteristics
V
GS(off)
= –2 V
T
A
= –55 C
125 C
–
I
D
Transfer Characteristics
T
A
= –55 C
125 C
V
GS(off)
= –3 V
25 C
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
Transconductance vs. Gate-Source Voltage
V
GS(off)
= –2 V
T
A
= –55 C
125 C
25 C
g
f
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
Transconductance vs. Gate-Source Voltgage
T
A
= –55 C
125 C
25 C
V
GS(off)
= –3 V
g
f
I
D
– Drain Current (mA)
I
D
– Drain Current (mA)
On-Resistance vs. Drain Current
Circuit Voltage Gain vs. Drain Current
0.1
1
10
T
A
= 25 C
–3 V
V
GS(off)
= –2 V
10
0.1
A
V
g
fs
R
L
R
L
g
os
1
Assume V
DD
= 15 V, V
DS
= 5 V
10 V
I
D
R
L
V
GS(off)
= –2 V
–3 V
A
V
–
10
0
8
6
4
2
0
–2
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
300
0
240
180
120
60
10
0
8
6
4
2
0
–3
–0.6
–1.2
–1.8
–2.4
10
0
8
6
4
2
0
–2
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
10
0
8
6
4
2
0
–3
–0.6
–1.2
–1.8
–2.4
100
0
80
60
40
20
V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
f = 1 kHz
V
DS
= 10 V
f = 1 kHz
1
25 C
r
D
–
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5486 N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-25V，最小漏極飽和電流8mA的N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
2N5490 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
2N5492 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
2N5494 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
2N5496 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N5485_D26Z 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
2N5485_D26Z_Q 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
2N5485_D27Z 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
2N5485_D74Z 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
2N5485_D75Z 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
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