參數(shù)資料
型號： 2N6032
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： HIGH CURRENT HIGH SPEED HIGH POWER TRANSISTORS
中文描述： 大電流高速，高功率晶體管
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 290K
代理商： 2N6032
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PDF描述
2N6032 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
2N6034 Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors(4A，40W，40V（集電極-發(fā)射極），塑料，補(bǔ)償型硅PNP功率晶體管)
2N6042 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistor(8A，75W，100V（集電極-發(fā)射極），塑料，補(bǔ)償型硅PNP中等功率晶體管)
2N6045 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistor(8A，75W，100V（集電極-發(fā)射極），塑料，補(bǔ)償型硅NPN中等功率晶體管)
2N6043G Plastic Medium−Power Complementary Silicon Transistors
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參數(shù)描述
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2N6034G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 4A 40V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N6034SGS 制造商:SGS 功能描述:2N6034
2N6035 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Pwr Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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