參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6071
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： 4 Ampere RMS Silicon Bidirectional Thyristor(4A（均方根值），200V，硅雙向晶閘管)
中文描述： 4安培有效值硅雙向晶閘管（第4A（均方根值）分別為200V，硅雙向晶閘管）
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大小： 74K
代理商： 2N6071
2N6071A/B Series
http://onsemi.com
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For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6072 TRIAC|300V V(DRM)|4A I(T)RMS|TO-126
2N6072B TRIAC|300V V(DRM)|4A I(T)RMS|TO-126
2N6074 TRIAC|500V V(DRM)|4A I(T)RMS|TO-126
2N6074B TRIAC|500V V(DRM)|4A I(T)RMS|TO-126
2N6073 4 Ampere RMS Silicon Bidirectional Thyristor(4A（均方根值），400V，硅雙向晶閘管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6071/D 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:Sensitive Gate Triacs
2N6071A 功能描述:雙向可控硅 THY 4A 200V TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
2N6071A_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:Sensitive Gate Triacs Silicon Bidirectional Thyristors
2N6071AG 功能描述:雙向可控硅 THY 4A 200V TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
2N6071AG 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Triac
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