參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6075A
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 晶閘管
英文描述： TRIACs 4 AMPERES RMS 200 thru 600 VOLTS
中文描述： 600 V, 4 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-225AA
封裝： FORMERLY TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 119K
代理商： 2N6075A
2N6071A/B Series
http://onsemi.com
3
Trigger devices are recommended for gating on Triacs. They provide:
1. Consistent predictable turn-on points.
2. Simplified circuitry.
3. Fast turn-on time for cooler, more efficient and reliable operation.
SAMPLE APPLICATION:
TTL-SENSITIVE GATE 4 AMPERE TRIAC
TRIGGERS IN MODES II AND III
0 V
–VEE
VEE = 5.0 V
MC7400
4
14
7
+
510
2N6071A
LOAD
115 VAC
60 Hz
+ Current
+ Voltage
VTM
IH
Symbol
VDRM
IDRM
VRRM
IRRM
VTM
IH
Parameter
Peak Repetitive Forward Off State Voltage
Peak Forward Blocking Current
Peak Repetitive Reverse Off State Voltage
Peak Reverse Blocking Current
Voltage Current Characteristic of Triacs
(Bidirectional Device)
IDRM at VDRM
on state
off state
IRRM at VRRM
Quadrant 1
MainTerminal 2 +
Quadrant 3
MainTerminal 2 –
VTM
IH
Maximum On State Voltage
Holding Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6075B TRIACs 4 AMPERES RMS 200 thru 600 VOLTS
2N6071 4 Ampere RMS Silicon Bidirectional Thyristor(4A（均方根值），200V，硅雙向晶閘管)
2N6072 TRIAC|300V V(DRM)|4A I(T)RMS|TO-126
2N6072B TRIAC|300V V(DRM)|4A I(T)RMS|TO-126
2N6074 TRIAC|500V V(DRM)|4A I(T)RMS|TO-126
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6075A 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRIAC 4A 600V TO-126
2N6075AG 功能描述:雙向可控硅 Sensitive Gate RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
2N6075B 功能描述:雙向可控硅 THY 4A 600V TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
2N6075BG 功能描述:雙向可控硅 Sensitive Gate RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
2N6076 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 25V 10mA 500hfe RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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