參數(shù)資料
型號： 2N6075B
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 晶閘管
英文描述： TRIACs 4 AMPERES RMS 200 thru 600 VOLTS
中文描述： 600 V, 4 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-225AA
封裝： FORMERLY TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 119K
代理商： 2N6075B
2N6071A/B Series
http://onsemi.com
6
,
Z
θ
J
40
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
VTM ON-STATE VOLTAGE (VOLTS)
TJ = 110
°
C
TJ = 25
°
C
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
–60
–40
–20
0
20
40
60
80
100
120
140
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
GATE OPEN
APPLIES TO EITHER DIRECTION
34
32
30
28
26
24
22
20
18
16
14
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
7.0
10
NUMBER OF FULL CYCLES
TJ= –40 to +110
°
C
f = 60 Hz
0.2
0.1
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
MAXIMUM
TYPICAL
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
10
0.3
t, TIME (ms)
I
I
P
°
C
30
20
10
Figure 7. Maximum On–State Characteristics
Figure 8. Typical Holding Current
Figure 9. Maximum Allowable Surge Current
Figure 10. Thermal Response
相關PDF資料
PDF描述
2N6071 4 Ampere RMS Silicon Bidirectional Thyristor(4A（均方根值），200V，硅雙向晶閘管)
2N6072 TRIAC|300V V(DRM)|4A I(T)RMS|TO-126
2N6072B TRIAC|300V V(DRM)|4A I(T)RMS|TO-126
2N6074 TRIAC|500V V(DRM)|4A I(T)RMS|TO-126
2N6074B TRIAC|500V V(DRM)|4A I(T)RMS|TO-126
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2N6075BG 功能描述:雙向可控硅 Sensitive Gate RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
2N6076 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 25V 10mA 500hfe RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6076_1 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:SILICON PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N6076_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT Si NPN Transistor Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6076_D27Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT Si NPN Transistor Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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