參數(shù)資料
型號： 2N6075B
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 晶閘管
英文描述： TRIACs 4 AMPERES RMS 200 thru 600 VOLTS
中文描述： 600 V, 4 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-225AA
封裝： FORMERLY TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 119K
代理商： 2N6075B
2N6071A/B Series
http://onsemi.com
7
PACKAGE DIMENSIONS
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
–B–
U
–A–
M
K
F
C
Q
H
V
G
S
D
J
R
1
3
2
2 PL
0.25 (0.010)
M
A
M
B
M
M
A
M
0.25 (0.010)
B
M
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
M
Q
R
S
U
V
MIN
0.425
0.295
0.095
0.020
0.115
0.094 BSC
0.050
0.015
0.575
5 TYP
0.148
0.045
0.025
0.145
0.040
MAX
0.435
0.305
0.105
0.026
0.130
MIN
10.80
7.50
2.42
0.51
2.93
MAX
11.04
7.74
2.66
0.66
3.30
MILLIMETERS
INCHES
2.39 BSC
1.27
0.39
14.61
5 TYP
3.76
1.15
0.64
3.69
1.02
0.095
0.025
0.655
2.41
0.63
16.63
0.158
0.065
0.035
0.155
–––
4.01
1.65
0.88
3.93
–––
STYLE 5:
PIN 1. MT 1
2. MT 2
3. GATE
TO–225AA
(formerly TO–126)
CASE 077–09
ISSUE W
相關PDF資料
PDF描述
2N6071 4 Ampere RMS Silicon Bidirectional Thyristor(4A（均方根值），200V，硅雙向晶閘管)
2N6072 TRIAC|300V V(DRM)|4A I(T)RMS|TO-126
2N6072B TRIAC|300V V(DRM)|4A I(T)RMS|TO-126
2N6074 TRIAC|500V V(DRM)|4A I(T)RMS|TO-126
2N6074B TRIAC|500V V(DRM)|4A I(T)RMS|TO-126
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2N6075BG 功能描述:雙向可控硅 Sensitive Gate RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
2N6076 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 25V 10mA 500hfe RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6076_1 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:SILICON PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N6076_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT Si NPN Transistor Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6076_D27Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT Si NPN Transistor Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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