參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6292
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Complementary Silicon Plastic Power Transistor(7A，40W，70V（集電極-發(fā)射極），塑料，補(bǔ)償型硅NPN功率晶體管)
中文描述： 7 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 67K
代理商： 2N6292
Complementary Silicon Plastic
Power Transistors
. . . designed for use in general–purpose amplifier and switching
applications.
DC Current Gain Specified to 7.0 Amperes
h
FE
= 30–150 @ I
C
= 3.0 Adc — 2N6111, 2N6288
= 2.3 (Min) @ I
C
= 7.0 Adc — All Devices
Collector–Emitter Sustaining Voltage —
V
CEO(sus)
= 30 Vdc (Min) — 2N6111, 2N6288
= 50 Vdc (Min) — 2N6109
= 70 Vdc (Min) — 2N6107, 2N6292
High Current Gain — Bandwidth Product
f
T
= 4.0 MHz (Min) @ I
C
= 500 mAdc — 2N6288, 90, 92
= 10 MHz (Min) @ I
C
= 500 mAdc — 2N6107, 09, 11
TO–220AB Compact Package
Rating
Collector–Emitter Voltage
Emitter–Base Voltage
Symbol
V
V
CB
V
EB
C
5.0
10
2N6109
50
I
P
D
30
40
70
Vdc
Vdc
Collector–Base Voltage
3.0
40
60
80
Vdc
Base Current
Total Power Dissipation @ T
= 25 C
Adc
Watts
Peak
Temperature Range
J
stg
C
Preferred
devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
January, 2001 – Rev. 3
29
Publication Order Number:
2N6107/D
2N6107
2N6109
2N6111
NPN
2N6288
2N6292
*ON Semiconductor Preferred Device
7 AMPERE
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
SILICON
30–50–70 VOLTS
40 WATTS
*
*
CASE 221A–06
TO–220AB
PNP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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2N6304 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
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2N6324 TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 30A I(C) | TO-210AE
2N6328 NPN Transistor(30A, 100V)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6292 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 70V
2N6292G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 7A 70V 40W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6292MOT 制造商:Motorola 功能描述:2N6292 S9G4A
2N6293 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
2N6294 功能描述:兩極晶體管 - BJT Power Transistor Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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