參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6292
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Complementary Silicon Plastic Power Transistor(7A，40W，70V（集電極-發(fā)射極），塑料，補(bǔ)償型硅NPN功率晶體管)
中文描述： 7 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 67K
代理商： 2N6292
2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292
http://onsemi.com
31
*Indicates JEDEC Registered Data.
(1) Pulse Test: Pulse Width
300
μ
s, Duty Cycle
2.0%.
(2) f
T
= |h
fe
|
f
test
.
(I
C
= 100 mAdc, I
B
= 0)
2N6111, 2N6288
2N6107, 2N6292
50
—
—
Vdc
(V
CE
= 40 Vdc, I
B
= 0)
2N6109
—
CEO
2.0
—
1.0
mAdc
(V
CE
= 60 Vdc, V
EB(off)
= 1.5 Vdc)
CE
EB(off)
(V
CE
= 50 Vdc, V
EB(off)
= 1.5 Vdc, T
C
= 150 C)
2N6109
2N6109
CEX
—
—
100
100
μ
Adc
mAdc
(V
= 5.0 Vdc, I
= 0)
EBO
mAdc
Collector–Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 7.0 Adc, I
B
= 3.0 Adc)
(I
C
= 2.0 Adc, V
CE
= 4.0 Vdc)
C
CE
(I
C
= 7.0 Adc, V
CE
= 4.0 Vdc)
2N6107, 2N6292
All Devices
V
2.3
—
30
30
—
3.5
150
150
Vdc
Base–Emitter On Voltage
V
BE(on)
—
3.0
Vdc
(I
C
= 500 mAdc, V
CE
= 4.0 Vdc, f
test
= 1.0 MHz)
Output Capacitance (V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0, f = 1.0 MHz)
2N6288, 92
C
ob
4.0
10
—
—
250
pF
Small–Signal Current Gain (I
C
= 0.5 Adc, V
CE
= 4.0 Vdc, f = 50 kHz)
h
fe
20
—
—
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PDF描述
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參數(shù)描述
2N6292 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 70V
2N6292G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 7A 70V 40W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6292MOT 制造商:Motorola 功能描述:2N6292 S9G4A
2N6293 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
2N6294 功能描述:兩極晶體管 - BJT Power Transistor Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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