- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄41445 > 2N6491BD (ON SEMICONDUCTOR) 15 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N6491BD |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 15 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 20/61頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 367K |
| 代理商： | 2N6491BD |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)當(dāng)前第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)
5–5
Outline Dimensions and Leadform Options
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Outline Dimensions (continued)
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
12
3
4
V
S
A
K
–T–
SEATING
PLANE
R
B
F
G
D 3 PL
M
0.13 (0.005)
T
C
E
J
H
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.235
0.250
5.97
6.35
B
0.250
0.265
6.35
6.73
C
0.086
0.094
2.19
2.38
D
0.027
0.035
0.69
0.88
E
0.033
0.040
0.84
1.01
F
0.037
0.047
0.94
1.19
G
0.090 BSC
2.29 BSC
H
0.034
0.040
0.87
1.01
J
0.018
0.023
0.46
0.58
K
0.350
0.380
8.89
9.65
R
0.175
0.215
4.45
5.46
S
0.050
0.090
1.27
2.28
V
0.030
0.050
0.77
1.27
CASE 369–07
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
CASE 369A–13
D
A
K
B
R
V
S
F
L
G
2 PL
M
0.13 (0.005)
T
E
C
U
J
H
–T– SEATING
PLANE
Z
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.235
0.250
5.97
6.35
B
0.250
0.265
6.35
6.73
C
0.086
0.094
2.19
2.38
D
0.027
0.035
0.69
0.88
E
0.033
0.040
0.84
1.01
F
0.037
0.047
0.94
1.19
G
0.180 BSC
4.58 BSC
H
0.034
0.040
0.87
1.01
J
0.018
0.023
0.46
0.58
K
0.102
0.114
2.60
2.89
L
0.090 BSC
2.29 BSC
R
0.175
0.215
4.45
5.46
S
0.020
0.050
0.51
1.27
U
0.020
–––
0.51
–––
V
0.030
0.050
0.77
1.27
Z
0.138
–––
3.51
–––
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
12
3
4
STYLE 2:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
DIM
A
MIN
MAX
MIN
MAX
INCHES
2.8
2.9
1.102
1.142
MILLIMETERS
B
19.3
20.3
0.760
0.800
C
4.7
5.3
0.185
0.209
D
0.93
1.48
0.037
0.058
E
1.9
2.1
0.075
0.083
F
2.2
2.4
0.087
0.102
G
5.45 BSC
0.215 BSC
H
2.6
3.0
0.102
0.118
J
0.43
0.78
0.017
0.031
K
17.6
18.8
0.693
0.740
L
11.0
11.4
0.433
0.449
N
3.95
4.75
0.156
0.187
P
2.2
2.6
0.087
0.102
Q
3.1
3.5
0.122
0.137
R
2.15
2.35
0.085
0.093
U
6.1
6.5
0.240
0.256
W
2.8
3.2
0.110
0.125
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
0.25 (0.010) M TB M
CASE 340G–02
J
R
H
N
U
L
P
A
K
C
E
F
D
G
W
2 PL
3 PL
0.25 (0.010) M YQ S
12
3
–B–
–Q–
–Y–
–T–
(TO–3PBL)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6488AK | 15 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6491DW | 15 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6490AN | 15 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6488BU | 15 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6490AK | 15 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N6491G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 80V 75W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6492 | 制造商:SAVANTIC 制造商全稱:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| 2N6493 | 制造商:SAVANTIC 制造商全稱:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| 2N6494 | 制造商:SAVANTIC 制造商全稱:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| 2N6495 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 80V 10A 2PIN TO-66 - Bulk |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。