參數(shù)資料
型號： 2N6519RLRA
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/37頁
文件大?。?/td> 430K
代理商： 2N6519RLRA
2–69
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
High Voltage Transistors
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
2N6515
2N6519
2N6517
2N6520
Unit
Collector – Emitter Voltage
VCEO
250
300
350
Vdc
Collector – Base Voltage
VCBO
250
300
350
Vdc
Emitter – Base Voltage
2N6515, 2N6516, 2N6517
2N6519, 2N6520
VEBO
6.0
5.0
Vdc
Base Current
IB
250
mAdc
Collector Current — Continuous
IC
500
mAdc
Total Device Dissipation
@ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
625
5.0
mW
mW/
°C
Total Device Dissipation
@ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
1.5
12
Watts
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
200
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
RqJC
83.3
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage(1)
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
2N6515
2N6519
2N6517, 2N6520
V(BR)CEO
250
300
350
—
Vdc
Collector – Base Breakdown Voltage
(IC = 100 Adc, IE = 0 )
2N6515
2N6519
2N6517, 2N6520
V(BR)CBO
250
300
350
—
Vdc
Emitter – Base Breakdown Voltage
(IE = 10 Adc, IC = 0)
2N6515, 2N6517
2N6519, 2N6520
V(BR)EBO
6.0
5.0
—
Vdc
1. Pulse Test: Pulse Width
≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2.0%.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
NPN
2N6515
2N6517
PNP
2N6519
2N6520
CASE 29–04, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
1
2
3
Voltage and current are negative
for PNP transistors
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
NPN
PNP
REV 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6519 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5221 600 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4058 50 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4971 600 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4964 50 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6519TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6519TA_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N651A 制造商: 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
2N651AJ 制造商:Motorola Inc 功能描述:
2N651AJAN 制造商:Motorola Inc 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*