參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6660-2
廠商： VISHAY SILICONIX
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1100 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD
封裝： TO-39, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 78K
代理商： 2N6660-2
2N6660, VQ1004J/P
Vishay Siliconix
Document Number: 70222
S-04379—Rev. E, 16-Jul-01
www.vishay.com
11-3
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Ohmic Region Characteristics
Output Characteristics for Low Gate Drive
On-Resistance vs. Drain Current
Normalized On-Resistance
vs. Junction Temperature
Transfer Characteristics
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
VGS – Gate-Source Voltage (V)
VDS – Drain-to-Source Voltage (V)
ID – Drain Current (A)
TJ – Junction Temperature (
_C)
2.0 V
100
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
80
60
40
20
0
2.8 V
2.6 V
2.4 V
2.2 V
VGS = 10 V
2.0
0123
4
5
1.6
1.2
0.8
0.4
0
VGS = 10 V
8 V
7 V
6 V
5 V
4 V
3 V
2 V
1.0
0.8
0.6
0
02
10
0.4
0.2
46
8
125
_C
25
_C
VDS = 15 V
TJ = –55
_C
2.8
0
4
8
12
16
20
2.4
2.0
1.6
0
1.2
0.8
0.4
1.0 A
0.5 A
ID = 0.1 A
2.5
2.0
1.5
0
0.4
2.0
1.0
0.5
0.8
1.2
1.6
VGS = 10 V
2.25
2.00
1.75
0.50
–50
–10
150
1.50
1.25
30
70
110
1.00
0.75
VGS = 10 V
I D= 1.0 A
0.2 A
1.8 V
I D
–
Drain
Current
(A)
I D
–
Drain
Current
(mA)
I D
–
Drain
Current
(A)
r DS
(on)
–
On-Resistance
(
)
r DS
(on)
–
Drain-Source
On-Resistance
(
)
r DS
(on)
–
Drain-Source
On-Resistance
(
)
(Normalized)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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