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參數資料
| 型號： | 2N6660B-1 |
| 廠商： | VISHAY SILICONIX |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1100 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | 2N6660B-1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6660B-2 | 1100 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD |
| 2N6660 | 2000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-39 |
| 2N6660 | 990 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD |
| 2N6661DCSM | 900 mA, 90 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N6674LEADFREE | 15 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6660C4 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 2N6660CSM4 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N–CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| 2N6660CSM4_0809 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N–CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| 2N6660-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 0.99A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2N6660-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CH MOSFET 60V 1.1A TO-205AD |
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