參數資料
型號： 2N7000
廠商： ELAN Microelctronics Corp .
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓60V,開態(tài)漏極電流75mA，N溝道增強型垂直DMOS場效應管)
中文描述： N溝道增強型場效應管垂直的DMOS（擊穿電壓60V的，開態(tài)漏極電流七十五毫安，?溝道增強型垂直的DMOS場效應管）
文件頁數： 3/4頁
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代理商： 2N7000
7-7
2N7000
Typical Performance Curves
Output Characteristics
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
10
20
V
DS
(volts)
30
50
40
I
D
(
Saturation Characteristics
0
2
4
6
10
8
V
DS
(volts)
I
D
Maximum Rated Safe Operating Area
0.1
100
10
1.0
0.01
0.1
1.0
0.001
V
DS
(volts)
I
D
(
Thermal Response Characteristics
T
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.001
10
0.01
0.1
1
t
p
(seconds)
Transconductance vs. Drain Current
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
1.0
0.2
0.4
0.6
0.8
G
F
(
I
D
(amperes)
Power Dissipation vs. Case Temperature
0
150
100
50
2.0
1.0
125
75
25
P
D
(
TO-92
T
A
= -55
°
C
25
°
C
125
°
C
V
DS
= 25V
TO-92 (pulsed)
8V
6V
4V
VGS =10V
0
0
0
8V
6V
4V
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
TO-92 (DC)
TC = 25
°
C
TO-92
P
D
= 1W
T
C
= 25
°
C
T
C
(
°
C)
V
GS
= 10V
相關PDF資料
PDF描述
2N7002-G N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
2N7002BKM 60 V, 450 mA N-channel Trench MOSFET
2N7002BKS 60 V, 300 mA dual N-channel Trench MOSFET
2N7002BKT 60 V, 290 mA N-channel Trench MOSFET
2N7002BKV 60 V, 340 mA dual N-channel Trench MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
2N-7000 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2N7000 AMO 功能描述:MOSFET TRENCH 31V-99V G2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7000,126 功能描述:MOSFET TRENCH 31V-99V G2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7000 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-92
2N7000/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Small Signal MOSFET 200 mAmps， 60 Volts
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