參數(shù)資料
型號： 2N7000
廠商： ELAN Microelctronics Corp .
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓60V,開態(tài)漏極電流75mA，N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS場效應(yīng)管)
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管垂直的DMOS（擊穿電壓60V的，開態(tài)漏極電流七十五毫安，?溝道增強(qiáng)型垂直的DMOS場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 4/4頁
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代理商： 2N7000
7-8
Typical Performance Curves
2N7000
Gate Drive Dynamic Characteristics
Q
G
(nanocoulombs)
V
G
(
T
j
(
°
C)
V
G
R
D
(
V
(th)
and R
DS
Variation with Temperature
On-Resistance vs. Drain Current
R
D
(
B
D
(
T
j
(
°
C)
Transfer Characteristics
V
GS
(volts)
I
D
(
I
D
(amperes)
BV
DSS
Variation with Temperature
0
2
4
6
8
10
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
-50
0
50
100
150
1.1
1.0
0.9
0
0
2.5
1.0
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
10
8
6
4
2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-50
0
50
100
150
V
DS
= 10V
V
(th)
@ 1mA
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
0.5
1.5
2.0
1.0
2.0
3.0
5.0
4.0
T
A
= -55
°
C
25
°
C
125
°
C
0
40 pF
40V
80 pF
0
1.9
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
V
DS
= 25V
Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
100
C
V
DS
(volts)
0
10
20
30
40
75
50
25
0
f = 1MHz
C
ISS
C
OSS
C
RSS
R
DS
@ 10V, 1.0A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7002-G N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
2N7002BKM 60 V, 450 mA N-channel Trench MOSFET
2N7002BKS 60 V, 300 mA dual N-channel Trench MOSFET
2N7002BKT 60 V, 290 mA N-channel Trench MOSFET
2N7002BKV 60 V, 340 mA dual N-channel Trench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N-7000 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2N7000 AMO 功能描述:MOSFET TRENCH 31V-99V G2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7000,126 功能描述:MOSFET TRENCH 31V-99V G2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7000 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-92
2N7000/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Small Signal MOSFET 200 mAmps， 60 Volts
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