參數(shù)資料
型號： 2N7002/T1
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大小： 87K
代理商： 2N7002/T1
2N7002_6
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 06 — 28 April 2006
3 of 11
Philips Semiconductors
2N7002
N-channel TrenchMOS FET
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of solder point temperature
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of solder point temperature
Tsp =25 °C; IDM is single pulse
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage
03aa17
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tsp (
°C)
Pder
(%)
03aa25
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tsp (
°C)
Ider
(%)
P
der
P
tot
P
tot 25 C
°
()
------------------------
100 %
×
=
I
der
I
D
I
D25 C
°
()
---------------------
100 %
×
=
003aab350
10
-2
10
-1
1
10
1
10
2
VDS (V)
ID
(A)
DC
1 ms
100 s
Limit RDSon = VDS / ID
10 ms
100 ms
10 s
tp =
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7002K 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7002KT/R13 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7002T/R 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
2N7002/T3 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
2N7002-T 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
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參數(shù)描述
2N7002-T1-E3 功能描述:MOSFET 60V 0.115A 0.2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7002-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N TO-236
2N7002-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET
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2N7002-T1-GE3 功能描述:MOSFET 60V 115mA 0.2W 7.5ohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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