參數(shù)資料
型號(hào)： 2N7002D87Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
文件頁(yè)數(shù)： 10/14頁(yè)
文件大?。?/td> 746K
代理商： 2N7002D87Z
2N7000.SAM Rev. A1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.925
0.95
0.975
1
1.025
1.05
1.075
1.1
T , JUNCTION TEM PERATURE (°C)
DRAIN-SOURCE
BREAKDO
WN
VOLTAG
E
J
BV
,
NORMALIZED
DSS
I
= 250A
D
0 .2
0 .4
0 .6
0 .8
1
1 .2
1 .4
0 .001
0 .005
0 .01
0 .05
0 .1
0 .5
1
2
V
, BODY DIODE FORWA RD VOLTAGE (V)
I
,
REVERSE
DR
A
IN
CURRENT
(A)
V
= 0V
GS
T = 125° C
J
SD
S
25° C
-55° C
0
0 .4
0 .8
1 .2
1 .6
2
0
2
4
6
8
10
Q
, GATE CHARGE (nC)
V
,
GAT
E-SO
URCE
VOLTAGE
(V)
g
GS
I
=500 mA
D
V
= 25V
DS
115 mA
280 mA
1
2
3
5
10
20
30
50
1
2
5
10
20
40
60
V
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
CAPACITANCE
(pF)
DS
C iss
f = 1 MH z
V
= 0V
GS
C oss
C rss
G
D
S
VDD
R
L
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
10%
50%
90%
10%
90%
50%
Input, Vin
Output, Vout
t on
toff
td(off)
t f
tr
t d(on)
Inverted
10%
Pulse Width
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
with Temperature
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation with
Figure 9. Capacitance Characteristics
Figure 10. Gate Charge Characteristics
Figure 11.
Figure 12. Switching Waveforms
Typical Electrical Characteristics (continued)
2N7000 / 2N7002 /NDS7002A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7000D74Z 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000J18Z 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7000L-T92-R 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000-T92-K 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000-T92-R 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N7002-D87Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:115mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:200mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 基本零件編號(hào):2N7002 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2N7002DCSM 制造商:SEME-LAB 制造商全稱(chēng):Seme LAB 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR
2N7002DSPT 制造商:CHENMKO 制造商全稱(chēng):Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:Dual N-Channel Enhancement MOS FET
2N7002DW 功能描述:MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7002DW _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
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